Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з університету Фудань у Китаї встановили новий світовий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, створивши пристрій флеш-пам’яті, який може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей новий пристрій, названий PoX, є енергонезалежним і виявився набагато швидшим, ніж інші енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Для запису одного біта PoX потребує лише 400 пікосекунд, що значно перевершує швидкість найсучасніших аналогів. У процесі розробки цього пристрою використовувалися алгоритми штучного інтелекту, що допомогли оптимізувати умови тестування та прискорити розвиток технології. Команда вчених вже працює над тим, щоб перетворити PoX на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.